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論文

Preliminary study on development of 300 kV compact focused gaseous ion beam system

大久保 猛; 石井 保行; 三宅 善信*; 神谷 富裕

AIP Conference Proceedings 1525, p.370 - 374, 2013/04

 被引用回数:4 パーセンタイル:83.66(Physics, Applied)

Focused proton beam of several hundreds of keV with micrometer scale range become a powerful tool for high aspect ratio 3-Dimensional structures in proton lithography. A new 300 kV compact focused gaseous ion beam (gas-FIB) system with three-stage acceleration lens was constructed at JAEA. The preliminary experiments of formation of the focused gaseous ion beams were carried out to show the availability of the gas-FIB system as a writing tool for 3D proton lithography. As a result of the experiments, it was proved that the focal point was kept at the same position under changing the kinetic energy but with keeping the kinetic energy ratio constant, which was defined as the ratio of kinetic energy in object side to that in image side for the third acceleration lens. This characteristic of the gas-FIB is a good point to suggest the 3D proton lithography changing penetration depth in a sample by varying the beam energy.

論文

Breakdown voltage in silicon carbide metal-oxide-semiconductor devices induced by ion beams

大島 武; 出来 真斗; 牧野 高紘; 岩本 直也; 小野田 忍; 平尾 敏雄*; 児島 一聡*; 富田 卓朗*; 松尾 繁樹*; 橋本 修一*

AIP Conference Proceedings 1525, p.654 - 658, 2013/04

 被引用回数:0 パーセンタイル:0.05(Physics, Applied)

炭化ケイ素(SiC)半導体デバイスのシングルイベント現象(SEGR)を把握するため、SiCエピタキシャル膜に金属-酸化膜-半導体キャパシタ(MOS)を作製し、イオン入射によりMOSキャパシタの酸化膜から検出される漏れ電流を調べた。n型六方晶(4H)SiCエピタキシャル基板上に1100$$^{circ}$$C、60分間の水素燃焼酸化を行うことで60$$sim$$80nmのゲート酸化膜を形成し、Al金属蒸着によりMOSキャパシタを作製した。作製したMOSキャパシタのゲート電極に電圧を印加した状態で、18MeVの酸素(O)又はニッケル(Ni)イオンを照射し、照射中にゲート酸化膜から検出される漏れ電流を測定した。その結果、18MeV-Oイオン照射の場合、未照射試料でのゲート酸化膜絶縁破壊電界8.2MV/cmまで漏れ電流の急激な変化はないが、18MeV-Niイオンでは7.3MeV/cmの電界強度で漏れ電流の急激な上昇が観測されSEGRが発生することが明らかとなった。18MeV-Oの線エネルギー付与(LET)が7MeVcm$$^{2}$$/mgであるのに対し、Niは24MeVcm$$^{2}$$/mgであることから、Niの場合、Oに比べ高密度のエネルギーが付与されSEGRに至ったと結論できる。

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